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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 32.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SUM40014M-GE3

制造商编号：

SUM40014M-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

数据表:

SUM40014M-GE3 数据表

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数量	单价	总价
	¥36.725	¥36.73
	¥24.3176	¥243.18
	¥17.2099	¥1,720.99
	¥17.1195	¥8,559.75
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥14.3058	¥11,444.64
	¥13.4809	¥32,354.16
	¥12.9046	¥61,942.08

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	200 A
Rds On-漏源导通电阻:	990 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	182 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	ThunderFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay / Siliconix
下降时间:	35 ns
正向跨导 - 最小值:	140 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	ThunderFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
单位重量:	1.600 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SUM40014M N沟道40V MOSFET

Vishay/Siliconix SUM40014M N沟道40V MOSFET提供40V_DS漏源电压，采用单配置D²PAK封装，具有ThunderFET®功率。该MOSFET采用无铅且符合RoHS指令的设计，100%通过R_g和UIS测试。Vishay/Siliconix SUM40014M N沟道40V MOSFET非常适合用于直流/直流转换器、电池管理应用、电动工具和电机驱动开关。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.