AFGHL75T65SQDC

onsemi
863-AFGHL75T65SQDC
AFGHL75T65SQDC

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V

数据表:
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库存量: 447

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥93.8804 ¥93.88
¥56.0819 ¥560.82
¥47.0645 ¥4,706.45
¥44.9175 ¥20,212.88

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL75T65SQDC
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
商标名: EliteSiC
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGHL75T65SQD场终止沟槽型IGBT

安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQD场终止沟槽型IGBT采用第四代高速IGBT技术。此器件符合AEC-Q101标准，可为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQD场终止沟槽型IGBT还具有大电流能力、快速开关和紧密的参数分布。

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