NST856MTWFT PNP晶体管
安森美NST856MTWFT PNP晶体管设计用于通用放大器应用。这些晶体管采用紧凑型DFN1010-3封装,带可湿性侧翼,适用于汽车行业。NST856MTWFT晶体管 无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。这些晶体管的集电极-发射极电压为65V,集电极连续电流为100mA。NST856MTWFT晶体管非常适合用于低功耗表面贴装应用。
安森美NST856MTWFT PNP晶体管设计用于通用放大器应用。这些晶体管采用紧凑型DFN1010-3封装,带可湿性侧翼,适用于汽车行业。NST856MTWFT晶体管 无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。这些晶体管的集电极-发射极电压为65V,集电极连续电流为100mA。NST856MTWFT晶体管非常适合用于低功耗表面贴装应用。