IGBT 7电源模块

Microchip Technology绝缘栅双极晶体管(IGBT)7电源模块由多个IGBT芯片和续流二极管组成,它们封装在一个封装中,为大功率应用创建紧凑而高效的解决方案。这些模块控制和转换电力,具有更高的功率能力和更低的功率损耗。IGBT 7系列包括各种封装类型和拓扑结构,电压范围为1200V至1700V,电流范围为50A至900A。这些电源模块是旧代产品的改进,提供了更低的VCE(sat) 和Vf 、增强了dv/dt的可控性、50%更高的电流能力、在Tj 时的+175°C载容量、改进的续流二极管柔软度以及更简单的驱动。这些特性提供了大功率密度、降低系统成本、提高效率、易于使用、耐用性和更快上市时间的差异化价值主张。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C