L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

STMicroelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧（浮动）截面设计承受高达500V的直流电压轨，具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL，低至3.3V，可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 产品
类型
安装风格
封装 / 箱体
激励器数量
输出端数量
输出电流
电源电压-最小
电源电压-最大
上升时间
下降时间
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage high and low-side 2 A gate driver
数据表
10,430库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

IGBT, MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT 2 Driver 2 Output 2 A 10 V 20 V 25 ns 25 ns - 40 C + 125 C L6494 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage high and low-side 2 A gate driver
数据表
1,333库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT, MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT SOIC-14 2 Driver 2 Output 2 A 10 V 20 V 25 ns 25 ns - 40 C + 125 C L6494 Tube