SSM6N951L/SSM10N954L场效应晶体管

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L场效应晶体管可促进小型电池的高效充电/放电。提高电池’可靠性,降低热冲击是采用快速充电的锂离子电池的关键要求。MOSFET通常在充电/放电保护电路中用作开关,通常内置于锂离子电池组。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Toshiba MOSFET TCSPAC N-CH 12V 13.5A 8,547库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A - 8 V, 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V 5,948库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape