DRV8300U三相智能栅极驱动器
Texas Instruments DRV8300U三相栅极驱动器设有三个半桥栅极驱动器,电压为100V,每个均可驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自举二极管和外部电容器为高侧MOSFET生成正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低侧MOSFET生成栅极驱动电压。其栅极驱动架构支持高达750mA拉电流和1.5A灌电流。
Texas Instruments DRV8300U三相栅极驱动器设有三个半桥栅极驱动器,电压为100V,每个均可驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自举二极管和外部电容器为高侧MOSFET生成正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低侧MOSFET生成栅极驱动电压。其栅极驱动架构支持高达750mA拉电流和1.5A灌电流。