NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的散热性能。这些MOSFET具有低导通电阻 (RDS(on))，可将导通损耗降至最低，同时具有低电容特性，可将驱动损耗降至最低。NVMFD5873NL功率MOSFET提供可润湿侧边选项，以增强光学检测效果。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。NVMFD5873NL功率MOSFET非常适合用于电机控制和高侧/低侧开关。
安森美 (onsemi) NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的散热性能。这些MOSFET具有低导通电阻 (RDS(on))，可将导通损耗降至最低，同时具有低电容特性，可将驱动损耗降至最低。NVMFD5873NL功率MOSFET提供可润湿侧边选项，以增强光学检测效果。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。NVMFD5873NL功率MOSFET非常适合用于电机控制和高侧/低侧开关。