Si74 MOSFET

Vishay Si74 MOSFET采用TrenchFET® 技术,可降低导通电阻,确保在30V至250V范围内的可靠性和性能。N通道和P通道MOSFET按照IEC 61249-2-21规定不含卤素。这些MOSFET采用PowerPAK® 封装,热阻低,尺寸紧凑,外形纤薄(1.07mm),非常适合用于空间和热管理至关重要的应用。

结果: 32
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay Semiconductors MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
45,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 100 V 28 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 106 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
5,758在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 5.3 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 5.2 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 40V 23.6A 1.9W 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Si TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 80V 28A 83.3W 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 80 V 28 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 80V 28A 83.3W 25mohm @ 10V 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 80 V 28 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement TrenchFET Reel