RF5L15120CB4

STMicroelectronics
511-RF5L15120CB4
RF5L15120CB4

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按100的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥1,625.2903 ¥1,625.29
¥1,288.6294 ¥12,886.29
整卷卷轴（请按100的倍数订购）
¥1,288.6294 ¥128,862.94
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RF5L15120CB4射频功率LDMOS晶体管

STMicroelectronics RF5L15120CB4射频功率LDMOS晶体管具有高效率和线性增益运行特性。RF5L15120CB4 120W LDMOS FET具有显著的正负栅极/源极电压范围。该器件可用于AB/B类和C类，适用于所有典型调制格式。

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