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DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 18.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

637-DI006H03SQ

制造商编号：

DI006H03SQ

制造商：

Diotec Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

数据表:

DI006H03SQ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diotec Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	4 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	4.2 A, 6 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V, 2 V
Qg-栅极电荷:	11.7 nC, 11.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.5 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diotec Semiconductor
配置:	Quad
下降时间:	8.7 ns, 13.5 ns
正向跨导 - 最小值:	4 S, 3.5 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns, 4.9 ns
系列:	DI0XX
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	17.5 ns, 28.2 ns
典型接通延迟时间:	11.2 ns, 7.5 ns

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数据表

DI006H03SQ 数据表 (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

特色产品

DIOTEC SEMICONDUCTOR

DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

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DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

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Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

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库存量: 3,908

库存：: 3,908 可立即发货

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生产周期：: 10 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于3908的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥20.9276	¥20.93
	¥10.2604	¥102.60
	¥9.1869	¥918.69
	¥7.3337	¥3,666.85
	¥6.8365	¥13,673.00
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥5.8308	¥23,323.20
	¥5.4692	¥43,753.60

DI006H03SQ

制造商： Diotec Semiconductor

说明： MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

规格

文件 (3)

数据表

Models

环境文件

产品与贸易合规

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DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

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制造商：

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