结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,452库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,956库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,951库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,951库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V 4,204库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
5,000预期 2026/10/22
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
4,000预期 2026/8/27
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape