带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管 (FET)

Texas Instruments带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管具有保护功能，设计用于开关模式电源转换器，使设计人员能够实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R030集成了硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这一集成功能与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑结构中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。