AFGHxL25T单N沟道1200V 25A IGBT

安森美AFGHxL25T单N沟道1200V 25A绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固、高性价比的场终止型VII沟槽结构。安森美AFGHxL25T在要求苛刻的开关应用中提供出色的性能。低导通电压和最小开关损耗在汽车应用中提供最佳的硬开关和软开关拓扑性能。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L 444库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RW Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L 445库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L 418库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RW Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L 278库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RWD Tube