NVMFS5C604N单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS5C604N单N通道功率MOSFET具有288A漏极连续电流、10V RDS(ON)时的1.2mΩ和60V源漏电压。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm扁平引脚封装,专为紧凑高效的设计而开发。安森美(onsemi)符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能,非常适合用于汽车应用。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 4,427库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm 29库存量
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 288A, 1.2mohm 2,644库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 6,056库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 1,158库存量
3,000预期 2026/3/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 427库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 无库存交货期 19 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 40 A, 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel