LFPAK4汽车用功率MOSFET

安森美半导体LFPAK4汽车用功率MOSFET是符合AEC-Q101标准的单N通道MOSFET,占位面积小 (5mm x 6mm),非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻,可最大限度地降低导通损耗,并具有低栅极电荷和电容,可最大限度地降低驱动器损耗。这些汽车级功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,具有较宽的工作温度范围(-55°C至+175°)。

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel 2,970库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel 3,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel 11,812库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
2,940预期 2026/6/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 60V 21mOhm 27A Single N-Channel 2,938库存量
3,000预期 2026/5/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 30Ohm 20A Single N-Channel 862库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V LL LFPAK 8库存量
3,000预期 2026/3/4
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
6,000预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 10Ohm 38A Single N-Channel
3,000预期 2026/2/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
2,645预期 2026/6/25
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape