NDSH20120C

onsemi
863-NDSH20120C
NDSH20120C

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

数据表:
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库存量: 174

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥74.7721 ¥74.77
¥51.528 ¥515.28
¥41.1885 ¥4,118.85

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.38 V
119 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH20120C
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 214 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 450
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。  onsemi D3的最大额定电压为1200V。 这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项，为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化，具有低串联电阻温度依赖性，即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。

NDSH20120C碳化硅 (SiC) 二极管

安森美 (onsemi) NDSH20120C碳化硅 (SiC) 二极管 与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) NDSH20120C无反向恢复电流，具有独立于温度的开关特性和优异的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

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