三级NPC Q2Pack和Q2BOOST模块

安森美半导体NXH350N100H4Q2F2三级NPC Q2Pack模块是功率集成模块 (PIM),包含一个I-type NPC级。I-type NPC包括用于中性点钳位的100 A、1200 V SiC二极管、用于外部IGBT的350 A、1000 V IGBT,以及用于内部IGBT的400 A、1000 V IGBT。与其他1200V IGBT解决方案相比,安森美半导体NXH350N100H4Q2F2 Q2Pack模块的输出功率更高,并包含一个板载热敏电阻。安森美半导体Q2BOOST模块具有出色的效率和热损耗,可灵活支持不同制造工艺。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装


onsemi IGBT 模块 GEN1.5 1500V MASS MARKET 7库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1 kV 1.63 V, 1.75 V 303 A, 298 A 2 uA 592 W, 731 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH400B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模块 N06NF Q2BOOST 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Boost Power Modules IGBT Inverter 1 kV 1.88 V 164 A 1 uA 396 W PIM-50 - 40 C + 175 C Tray
onsemi NXH400B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT 模块 N06NF Q2BOOST#1 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Boost Power Modules IGBT Inverter 1 kV 1.88 V 164 A 1 uA 396 W PIM-50 - 40 C + 175 C Tray
onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT 模块 GEN1.5 1500V MASS MARKET 36库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Tray