LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器
Texas Instruments LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器旨在驱动同步降压、升压或半桥配置中的高侧和低侧增强型氮化镓 (GaN) FET。 该器件具有集成的100V自举二极管和独立输入,用于高侧和低侧输出,以实现最大的控制灵活性。通过自举技术生成高侧偏置电压。在5V进行内部钳位,从而防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅极-源极额定电压。LMG1205/LMG1025-Q1的输入兼容TTL逻辑,无论VDD电压如何,都可以耐受高达14V的输入电压。 LMG1205/LMG1205-Q1具有分离栅极输出,允许单独而灵活地调节导通和关断强度。
