NDSH30120CDN

onsemi
863-NDSH30120CDN
NDSH30120CDN

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

数据表:
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库存量: 382

库存：
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生产周期：
13 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥86.6032 ¥86.60
¥54.3417 ¥543.42
¥54.2626 ¥5,426.26
¥47.9798 ¥21,590.91
¥47.234 ¥42,510.60
2,700 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
38 A
1.2 kV
1.75 V
91 A
1.5 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH30120CDN
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 158 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 450
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。  onsemi D3的最大额定电压为1200V。 这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项，为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化，具有低串联电阻温度依赖性，即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。

NDSH30120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管

安森美（onsemi）NDSH30120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管与采用TO-247-3LD封装的硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。NDSH30120CDN无反向恢复电流，具有与温度无关的开关特性以及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。该EliteSiC二极管具有正温度系数和高浪涌电流耐受能力。

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