NDSH30120CDN

onsemi
863-NDSH30120CDN
NDSH30120CDN

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
38 A
1.2 kV
1.75 V
91 A
1.5 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH30120CDN
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 158 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NDSH30120CDN碳化硅(SiC)肖特基二极管

安森美(onsemi)NDSH30120CDN碳化硅(SiC)肖特基二极管与采用TO-247-3LD封装的硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。NDSH30120CDN无反向恢复电流,具有与温度无关的开关特性以及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。该EliteSiC二极管具有正温度系数和高浪涌电流耐受能力。

D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。  onsemi D3的最大额定电压为1200V。 这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项,为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化,具有低串联电阻温度依赖性,即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。

库存量: 380

库存:
380 可立即发货
生产周期:
42 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥87.0213 ¥87.02
¥60.0482 ¥600.48
¥57.6526 ¥6,918.31
¥52.4433 ¥26,746.08
¥49.0533 ¥50,034.37
10,020 报价