CY62 Asynchronous SRAM

Infineon Technologies CY62 Asynchronous SRAMs integrate single-bit error correction capability and bit-interleaving techniques to mitigate the effects of soft errors. The result is a family of devices that provide best-in-class features and the highest levels of reliability. With the performance to serve a wide variety of industrial, communication, data processing, medical, consumer, and military applications, the latest technology Fast and MOBL™ SRAM devices are form-fit-function compatible with existing Asynchronous SRAM devices based on older technology nodes.

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 16Mb MoBL 静态随机存取存储器 With ECC 382库存量
最低: 1
倍数: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 16Mb MoBL 静态随机存取存储器 With ECC 无库存交货期 26 周
最低: 960
倍数: 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 16Mb MoBL 静态随机存取存储器 With ECC 无库存交货期 26 周
最低: 4,800
倍数: 4,800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 16Mb MoBL 静态随机存取存储器 With ECC 无库存交货期 14 周
最低: 2,400
倍数: 2,400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 16Mb MoBL 静态随机存取存储器 With ECC 无库存交货期 14 周
最低: 4,800
倍数: 4,800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray