STD65N160M9

STMicroelectronics
511-STD65N160M9
STD65N160M9

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
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¥-.--
总价:
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封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥28.0353 ¥28.04
¥19.7637 ¥197.64
¥13.899 ¥1,389.90
¥12.1588 ¥6,079.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥9.8423 ¥24,605.75
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
160 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
106 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4 ns
系列: MDmesh M9
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 330 mg
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STD65N160M9沟道功率MOSFET

STMicroelectronics STD65N160M9 N沟道功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。MOSFET适合用于中/高压，具有非常低的单位面积RDS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可实现增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，它特别适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

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