SMD绕线式芯片磁珠

Pulse Electronics SMD绕线式芯片磁珠适合用于射频设计人员的滤波、阻抗匹配、谐振和扼流电路。即使在高频条件下，该芯片磁珠的陶瓷体和绕线结构也可提供高SRF和出色的Q值。BWCM系列芯片磁珠采用低直流电阻设计，可实现低损耗、大输出和低功耗性能。BWCS系列芯片磁珠采用非磁性线圈形式，确保热稳定性、可预测性和批次一致性。Pulse Electronics SMD绕线式芯片磁珠非常适合用于射频产品，用于手机、GPS接收器、基站、遥控器和安全系统以及其他射频模块。

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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
屏蔽
电感
容差
最大直流电流
最大直流电阻
饱和电流
最小工作温度
最大工作温度
Q 最小值
自谐振频率
终端
长度
宽度
高度
芯体材料
系列
封装
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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无库存交货期 10 周
最低： 12,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

0.6 mm x 0.4 mm x 0.4 mm Unshielded 8.7 nH 5 % 420 mOhms 290 mA - 55 C + 125 C 39 7.5 GHz Standard 0.6 mm 0.4 mm 0.4 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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无库存交货期 10 周
最低： 12,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

0.6 mm x 0.4 mm x 0.4 mm Unshielded 9.1 nH 5 % 220 mOhms 460 mA - 55 C + 125 C 46 6.4 GHz Standard 0.6 mm 0.4 mm 0.4 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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无库存交货期 10 周
最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 10 nH 2 % 81 mOhms 1.4 A - 55 C + 125 C 31 6 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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无库存交货期 10 周
最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 10 nH 5 % 81 mOhms 1.4 A - 55 C + 125 C 31 6 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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无库存交货期 10 周
最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 11 nH 2 % 83 mOhms 1.4 A - 55 C + 125 C 32 6.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 11 nH 5 % 83 mOhms 1.4 A - 55 C + 125 C 32 6.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 12 nH 2 % 93 mOhms 1.24 A - 55 C + 125 C 30 5.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 12 nH 5 % 93 mOhms 1.24 A - 55 C + 125 C 30 5.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 13 nH 2 % 93 mOhms 1.24 A - 55 C + 125 C 30 5.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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最低： 28,000
倍数： 4,000
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 13 nH 5 % 93 mOhms 1.24 A - 55 C + 125 C 30 5.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 15 nH 2 % 114 mOhms 1.15 A - 55 C + 125 C 31 5.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 15 nH 5 % 114 mOhms 1.15 A - 55 C + 125 C 31 5.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 16 nH 2 % 126 mOhms 1 A - 55 C + 125 C 31 5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 16 nH 5 % 126 mOhms 1 A - 55 C + 125 C 31 5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 18 nH 2 % 130 mOhms 1.05 A - 55 C + 125 C 30 5.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 18 nH 5 % 130 mOhms 1.05 A - 55 C + 125 C 30 5.2 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 19 nH 2 % 156 mOhms 920 mA - 55 C + 125 C 30 5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 19 nH 5 % 156 mOhms 920 mA - 55 C + 125 C 30 5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 1.5 nH 0.2 nH 28 mOhms 2.1 A - 55 C + 125 C 20 18 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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最低： 28,000
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卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 1.5 nH 0.5 nH 28 mOhms 2.1 A - 55 C + 125 C 20 18 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 20 nH 2 % 186 mOhms 800 mA - 55 C + 125 C 30 4.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 20 nH 5 % 186 mOhms 800 mA - 55 C + 125 C 30 4.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 22 nH 2 % 202 mOhms 780 mA - 55 C + 125 C 30 4.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
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最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 22 nH 5 % 202 mOhms 780 mA - 55 C + 125 C 30 4.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel
Pulse Electronics 射频电感器（SMD型） Chilisin RF inductor Wire Wound-STD
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无库存交货期 10 周
最低： 28,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000

1.1 mm x 0.7 mm x 0.5 mm Unshielded 23 nH 2 % 201 mOhms 760 mA - 55 C + 125 C 29 4.5 GHz Standard 1.1 mm 0.7 mm 0.5 mm Ceramic BWCM Reel