IX4超结功率MOSFET

IXYS IX4超结功率MOSFET是耐雪崩、N沟道增强模式MOSFET，具有200V漏极-源极击穿电压。IXYS IX4超结功率MOSFET采用TO-220 (IXTP) 或TO-263 (IXTA) 封装，具有86A或94A连续漏极电流。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
数据表
1,392库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
数据表
667库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
数据表
623库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
数据表
719库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
数据表
2,003库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
数据表
674库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube