齐纳二极管
Toshiba齐纳二极管采用各种封装,具有±12、±20或±30静电放电电压。这些齐纳二极管具有150mW、200mW和600W功率耗散。Toshiba齐纳二极管非常适合用于电压浪涌保护应用,采用USM、USC、ESC和S-Mini封装。
Toshiba齐纳二极管采用各种封装,具有±12、±20或±30静电放电电压。这些齐纳二极管具有150mW、200mW和600W功率耗散。Toshiba齐纳二极管非常适合用于电压浪涌保护应用,采用USM、USC、ESC和S-Mini封装。