PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET

Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET设计用于实现超高性能和可靠性。Nexperia PSMN器件是Nexperia应用专用MOSFET (ASFET) 系列的一部分。这些MOSFET专门设计用于热插拔和软启动应用，工作温度高达175°C。这些器件具有低R_DSon和增强的安全工作区性能，因此非常适合用于要求苛刻的电源管理应用。MOSFET铜夹LFPAK88封装具有高可靠性，非常坚固，可在导通期间处理较大浪涌电流。PSMN1R9和PSMN2R3具有低R_DSon和经过优化的效率，是用于电源管理系统的出色解决方案。