OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET是N通道功率晶体管,采用SuperSO8封装,具有双冷却功能,可提高散热性能。英飞凌OptiMOS功率MOSFET设计用于提高效率、功率密度和成本效益。这些器件具有低导通电阻 (RDS (on)) 和低反向恢复电荷 (Qrr),可提高功率密度,同时提高稳健性和系统可靠性。+175°C额定电压有助于设计在较高工作结温下功率更大,或者在相同工作结温下使用寿命更长。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 25,635库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,137库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2,999库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2,873库存量
10,000预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 55 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel