R60xxKNZ4功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4功率MOSFET是600V、N沟道MOSFET,设计用于开关应用。R60xxKNZ4具有低导通电阻和快速开关速度。ROHM R60xxKNZ4功率MOSFET采用TO-247封装,可轻松并联。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 30A N-CH MOSFET 1,700库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 24A N-CH MOSFET 1,162库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET 600库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube