UBDC硅电容器

Murata UBDC硅电容器采用0402M封装,占位面积为1mm x 0.50mm(长x宽),具有高达67GHz的超宽带性能。这些模块无谐振,可实现极低的群时延变化。它们具有超低插入损耗,这得益于传输模式下的阻抗匹配以及旁路接地模式下的低等效串联电感 (ESL) 和低等效串联电阻 (ESR)。UBDC系列可靠性强,而且电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性。Murata UBDC硅电容器的工作温度范围为-55°C至+150°C,与无铅回流焊接兼容。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 电压额定值 容差 系列 温度系数 最小工作温度 最大工作温度 封装
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Low ESL, High frequency, Ultra Broadband, Differential 无库存交货期 20 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

3.8 V 15 % UBDC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Low ESL, High frequency, Ultra Broadband, Differential 无库存交货期 20 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000

3.8 V 15 % UBDC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel