SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET,旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能,是高性能应用的理想选择。除高性能外,SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性,特别是在尺寸受限的设计中。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
onsemi MOSFET 650V 38A, 80MOHM 无库存交货期 16 周
最低: 3,000
倍数: 3,000
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT TDFN-8x8-4 Reel
onsemi MOSFET SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247

Si Tube