NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT功率模块

安森美 NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT功率模块是1200V、800A额定半桥IGBT功率模块。这些模块集成了场终止型沟槽7 IGBT和Gen 7二极管,具有低导通损耗和开关损耗。这使设计人员能够实现高效率和出色的可靠性。典型应用包括电机驱动器、伺服驱动器、商用农业车辆(CAV)、太阳能驱动器和UPS。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
onsemi IGBT 模块 1200V 800A QDUAL3 60库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 1200V 800A QDUAL3
60在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray