939132425510-W0A

Murata Electronics
81-939132425510-W0A
939132425510-W0A

制造商:

说明:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Low profile, High frequency, Embedding, Wirebonding

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
39 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 400   倍数: 400
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.5892 ¥13,035.68

类似产品

产品属性 属性值 选择属性
Murata
产品种类: 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
RoHS:  
0.01 uF
11 V
0201 (0603 metric)
- 55 C
+ 150 C
Waffle
商标: Murata Electronics
击穿电压: 11 V
外壳代码 - in: 0201
外壳代码 - mm: 0603
高度: 0.1 mm
长度: 0.6 mm
最大工作频率: 40 GHz
产品类型: Silicon RF Capacitors / Thin Film
工厂包装数量: 400
子类别: Capacitors
端接类型: Wire
类型: Broadband
电压额定值 DC: 11 VDC
宽度: 0.30 mm
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8532290000
USHTS:
8532290040
TARIC:
8532290000
ECCN:
EAR99

BBEC硅电容器

Murata BBEC硅电容器采用0201M封装,具有高达40GHz的超宽带性能,占位面积为0.60 mm x 0.30 mm(长x宽)。此电容器无谐振,可实现极低的群时延变化。可靠性强,而且电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性。其他特性包括超低插入损耗以及旁路接地模式下的低ESL和低ESR。Murata BBEC硅电容器的厚度为100µm,与标准引线接合组件(球形和楔形)和嵌入兼容。