1200V E4MS分立式SiC MOSFET

Wolfspeed 1200V E4MS分立碳化矽(SiC)MOSFET可在车载汽车应用中提供无与伦比的性能。E4MS系列采用快速软体二极管,可实现快速开关,过冲和振铃极小,从而扩展了工程师在应用中调整和优化性能的可用设计空间。与E3M系列器件相比,E4MS系列器件在保持低RDS(on)温度系数的同时,可提供更低的Eon、ERR和Eoff损耗。这种平衡方法可在广泛的车载拓扑结构中实现最大的性能和效率。

结果: 12
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101