RBRxx60ANZ低VF型肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ肖特基势垒二极管是共阴极双型二极管，采用TO-220FN封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造而成，工作温度范围为-55°C至+150°C。ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ势垒二极管具有低正向电压 (VF) 和高可靠性。这些肖特基势垒二极管非常适合用于开关电源和一般整流。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 产品
安装风格
封装 / 箱体
配置
技术
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube