结果: 6
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
数据表
6,796库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
数据表
1,248库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 186 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
数据表
770库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
数据表
53,692库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
数据表
2,683库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 58 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
数据表
1,574库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 173 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 142 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel