NTBLS1D5N10MCTXG

onsemi
863-NTBLS1D5N10MCTXG
NTBLS1D5N10MCTXG

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

数据表:
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库存量: 2,627

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥76.5123 ¥76.51
¥52.2738 ¥522.74
¥38.5443 ¥3,854.43
¥38.4652 ¥19,232.60
¥36.3973 ¥36,397.30
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥36.3973 ¥72,794.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
312 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 230 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 71 ns
系列: NTBLS1D5N10MC
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 83 ns
典型接通延迟时间: 39 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBLS1D5N10MC单N沟道MOSFET

安森美NTBLS1D5N10MC单N沟道MOSFET具有低导通电阻 (RDS(on))，可确保高效电源管理。安森美NTBLS1D5N10MC具有低栅极电荷 (QG) 和电容，可最大限度地缩短充电/放电时间，从而提高性能。该MOSFET显著降低了开关噪声和电磁干扰 (EMI)，有助于打造更清洁的信号环境。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

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