RH7E04BBJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7E04BBJFRATCB
RH7E04BBJFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET DFN8 P-CH 30V

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 2,400

库存：
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生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.1083 ¥19.11
¥12.2379 ¥122.38
¥8.5202 ¥852.02
¥7.1755 ¥3,587.75
¥6.3845 ¥6,384.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.424 ¥16,272.00
¥5.3675 ¥32,205.00
¥5.3223 ¥47,900.70

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
P-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.5 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 105 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 160 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为-30V、额定漏极电流 (ID) 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。此款MOSFET的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 为7.52mΩ（最大值，VGS = -10V、ID = -20A时）或11.3mΩ（最大值，VGS = -4.5V、ID = -10A时）。总栅极电荷 (Qg) 为65.0nC（典型值，VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -10V时）。ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。

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