CoolSiC™ 440V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 440V G2碳化硅MOSFET旨在弥合200V沟槽型硅基MOSFET和600V超结 (SJ) 硅基MOSFET之间的差距。这些MOSFET在采用硬开关和软开关拓扑结构的2电平和3电平应用中，能够提供出色的功率密度和系统效率。该系列CoolSiC™ MOSFET具有440V阻断电压、4.5V栅极阈值电压和低RDS(ON)温度依赖性。这些MOSFET结合了高稳健性、超低开关损耗和导通电阻。典型应用包括电源人工智能 (AI)、服务器、数据中心和电信整流器的高功率 SMPS。

结果: 3
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,530库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,791库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,787库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W CoolSiC Reel, Cut Tape