N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术，并结合了意法半导体著名的 PowerMESH™ 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻，在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌，使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。
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技术
安装风格
封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3