LMG341xR050 GaN功率级
Texas Instruments LMG341xR050 GaN功率级集成有驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅MOSFET相比,LMG341x的固有优势包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。
Texas Instruments LMG341xR050 GaN功率级集成有驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅MOSFET相比,LMG341x的固有优势包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。