NXH015F120M3F1PTG

onsemi
863-XH015F120M3F1PTG
NXH015F120M3F1PTG

制造商：

说明：
MOSFET模块 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥563.0451 ¥563.05
¥491.5839 ¥4,915.84

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Press Fit
42.5 mm x 33.8 mm
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
77 A
19 mOhms
- 10 V, 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 175 C
198 W
NXH015F120M3F1PTG
Tray
商标: onsemi
配置: Quad
下降时间: 7.5 ns
高度: 12 mm
长度: 42.5 mm
产品: MOSFET Modules
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 8.6 ns
工厂包装数量: 28
子类别: Discrete and Power Modules
类型: Full Bridge
典型关闭延迟时间: 103 ns
典型接通延迟时间: 33.3 ns
Vf - 正向电压: 4.67 V
宽度: 33.8 mm
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块

安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥拓扑结构和带Al2O3 DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。该电源模块的特点是具有栅极源电压+22V/-10V、77A漏极连续电流（在TC = 80°C时（TJ = 175°C）、198W最大功率耗散和12.7mm爬电距离。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供预涂热界面材料（TIM）和无预涂热界面材料。该SiC模块无铅、无卤化物，符合RoHS标准。典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站和工业电源。

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