NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模块

安森美(onsemi)NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模块可提高效率、功率密度和整体性能。  安森美(onsemi)NVXR17S90M2SPx模块在便捷式六组配置中集成了900V SiC MOSFET。 该模块设有用于信号端子的压配引脚,可轻松组装并提高可靠性。此外,该器件在基板上设有经过优化的引脚-翅片散热片,可实现有效散热。裸片连接采用烧结技术,提高了可靠性和散热性能,符合AQG324汽车标准。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
onsemi MOSFET模块 SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB 3库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPB Tray
onsemi MOSFET模块 SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC 4库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPC Tray