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RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 26.64 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

755-RD3S100AAFRATL

制造商编号：

RD3S100AAFRATL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

数据表:

RD3S100AAFRATL 数据表

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数量	单价	总价
	¥30.1032	¥30.10
	¥19.7637	¥197.64
	¥13.8086	¥1,380.86
	¥12.0797	¥6,039.85
	¥11.0853	¥11,085.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥10.17	¥25,425.00
	¥9.8423	¥49,211.50
25,000	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	190 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	182 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	52 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	85 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	75 ns
正向跨导 - 最小值:	6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	20 ns
系列:	RD3
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	140 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
零件号别名:	RD3S100AAFRA
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

汽车器件

ROHM汽车器件以其长期稳定的产品供应为汽车行业和下一代汽车的发展做出了卓越贡献。ROHM丰富的产品阵容支持不断增加的计算能力和连接。RoHM注重安全性、舒适度和生态，同时针对客户的需求提供最佳解决方案。

RD3S100AAFRA N沟道190 V 10 A功率MOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N沟道190V 10A功率MOSFET具有低导通电阻和高开关速度。RD3S100AAFRA MOSFET可轻松设置为并联使用。ROHM RD3S100AAFRA功率MOSFET设计用于开关电源应用。

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