采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

Vishay/Siliconix超结MOSFET采用PowerPAK® 10x12封装,具备先进功率技术。这些功率MOSFET可优化功率效率,RDS(on) 尽可能降低导通期间的功率损耗,确保高效运行。这些元器件100%经过Rg和UIS测试。Vishay/Siliconix超结MOSFET具有更好的功率耗散和较低的热阻(RthJC)。典型应用包括同步整流、自动化和电源。                        

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay MOSFET PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET 5,015库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK 10 x 12 N-Channel 1 Channel 600 V - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2,005库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT PowerPAK 10x12 N-Channel 1 Channel 40 V 795 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 312 nC - 55 C + 175 C 536 W Enhancement
Vishay MOSFET E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 1,730库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFET E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 1,800库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFET N-CHANNEL 600V 1,880库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT PowerPAK-10 x12 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 168 mOhms - 10 V, 10 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C Enhancement PowerPAK
Vishay MOSFET PWRPK 600V 19A E SERIES 1,948库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-10 x 12 1 Channel 650 V 19 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET PWRPK 650V 45A N CHAN 1,769库存量
最低: 1
倍数: 1
SMD/SMT PowerPAK 10 x 12 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 117 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET PowerPAK 8 x 8L
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-6 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement