VS-HOT200C080

Name: Vishay VS-HOT200C080
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-HOT200C080
Price: 205.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-VS-HOT200C080

制造商编号：

VS-HOT200C080

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET模块 FLATPAK12 MOSFET MOD 80V 200A

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET模块
安装风格:	Press Fit
封装 / 箱体:	FlatPAK-12
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	243 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	194 W
商标:	Vishay Semiconductors
下降时间:	256 ns
产品:	Power Module
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	169 ns
工厂包装数量:	288
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Half Bridge - Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	1015 ns
典型接通延迟时间:	203 ns
Vf - 正向电压:	830 mV

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块

Vishay Semiconductor推出的VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块是一款高度集成的设备，该款半桥MOSFET采用转移模塑工艺制造的紧凑型FlatPAK HC0封装，同时具备卓越的导通电阻(R_DS(ON) )特性。该设备的漏源电压 (V_DSS) 为80V，其漏极连续电流 (I_D) 为195A(@+80°C)。比其它竞争性解决方案相比，该电源模块所采用的MOSFET具有较低的导通电阻，能够将传导损耗降低了32%，有效提升了整体效率。相较于标准分立式解决方案，该设备能够将电路板空间占位需求减少高达15%。Vishay Semiconductor推出的VS-HOT200C080集成了多种功能组件，其中包括80V MOSFET（半桥配置）、用于电流读取的分流电阻器、用于优化开关性能的旁路电容器，以及用于温度监测的NTC热敏电阻。