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Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块

Vishay Semiconductor推出的VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块是一款高度集成的设备，该款半桥MOSFET采用转移模塑工艺制造的紧凑型FlatPAK HC0封装，同时具备卓越的导通电阻(RDS(ON) )特性。该设备的漏源电压 (VDSS) 为80V，其漏极连续电流 (ID) 为195A(@+80°C)。比其它竞争性解决方案相比，该电源模块所采用的MOSFET具有较低的导通电阻，能够将传导损耗降低了32%，有效提升了整体效率。相较于标准分立式解决方案，该设备能够将电路板空间占位需求减少高达15%。Vishay Semiconductor推出的VS-HOT200C080集成了多种功能组件，其中包括80V MOSFET（半桥配置）、用于电流读取的分流电阻器、用于优化开关性能的旁路 电容器，以及用于温度监测的NTC热敏电阻。

特性

  • 转移模塑工艺制造30 mm x 22.8 mm超紧凑尺寸FlatPAK HC0绝缘封装
  • 漏源电压：80V
  • 典型导通电阻（Q1（芯片级）[RDS(ON)]）：0.45mΩ
  • 漏极连续电流：195 A（+80°C时）
  • 半桥逆变器
  • 电流强度及温度的监测
  • 铜底层裸露但具有电气绝缘性的DBC（直接覆铜陶瓷基板）
  • 用于降低EMI的电容吸收电路（C snubber）
  • AQG324标准合规
  • 支持PPAP
  • 符合UL 94V-0认证的环氧树脂混合物

应用

  • 适用于汽车电气化系统（轻度混合动力汽车中的皮带驱动起动发电机和能量回收系统）
  • 微型机动性（48V牵引逆变器）

规范

  • 脉冲漏极电流 (IDM)：1050A（TC = +25°C、tp = 250μs且波形为方波时）
  • 脉冲源电流（二极管）(ISM)：1530A（TC = +150°C、tp = 1ms且波形为方波时）
  • 耗散功率 (PD)：194W（TC = +25 °C时）
  • 栅极至源电压 (VGS)：±20V
  • 典型栅极总充电/电荷 (Qg)：130nC（ID = 80A、VDS = 48V且VGS = 0V/10V时）
  • 典型栅极至源充电/电荷 (Qgs)：39nC（ID = 80A、VDS = 48V且VGS = 0V/10V时）
  • 典型栅极至漏极 (“Miller”)充电/电荷 (Qgd)：24nC（ID = 80A、VDS = 48V且VGS= 0V/10V时）
  • 结温范围 (TJ)：-55~+175°C
  • 存放温度范围 (TStg)：-40至+150°C
  • 工作温度范围 (Top)：-40至+150°C

其他资源

电路配置

原理图 - Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块

尺寸

机械图纸 - Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
发布日期: 2026-03-31 | 更新日期: 2026-04-02