高速IGBT4电源模块

Microchip Technology高速IGBT4电源模块具有低压降和低开关损耗等特性。该系列模块在1200V集电极-发射极电压 (VCES) 下工作,具有极低杂散电感、开尔文发射极/源极(便于驱动)以及扩展的工作温度范围。IGBT4模块的优势包括高效 转换、高频工作时的出色性能、尺寸轻薄以及低结-散热片热阻等。该系列模块适用于高可靠性 电源系统、交流开关、高效交流/直流和直流/交流转换器以及电机控制等应用。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL3 12库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL1 9库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL2 7库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL1 9库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL3 4库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL2 6库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL2
3预期 2026/3/9
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C