Si8481DB 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET

Vishay/Siliconix Si8481DB 20V P通道TrenchFET^®第三代MOSFET具有低导通电阻和低高度（最高0.6mm）。Si8481DB MOSFET的工作温度范围是-55ºC至150ºC。该功率MOSFET采用单配置Micro Foot^®封装。应用包括具有低压降的负载开关，以及电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理。