UT6J Pch功率MOSFET

ROHM Semiconductor UT6J P沟道功率MOSFET具有低导通电阻,采用 大功率小型模具封装。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用,如电源和电机驱动电路。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 2NCH 30V 5.5A 5,809库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D N-Channel 2 Channel 30 V 5.5 A 42 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4 nC + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 2PCH 20V 3A 4,820库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D P-Channel 2 Channel 20 V 2 A 85 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 2PCH 40V 3.5A 4,310库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D P-Channel 2 Channel 40 V 3.5 A 122 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET 14,706库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D N-Channel 2 Channel 100 V 2 A 207 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET 628库存量
6,000预期 2026/6/16
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D P-Channel 2 Channel 60 V 2.5 A 280 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape