FDC642P-F085PBK

Name: onsemi FDC642P-F085PBK
Brand: onsemi
SKU: 863-FDC642P-F085PBK
Price: 9.52 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FDC642P-F085PBK

制造商编号：

FDC642P-F085PBK

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PMOS SSOT6 20V 65 MOHM

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

FDC642P-F085PBK 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SSOT-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	4 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	6.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9.6 ns
正向跨导 - 最小值:	10 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.5 ns
系列:	FDC642P_F085
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	23.2 ns
典型接通延迟时间:	7.3 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

FDC642P-F085PBK 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDC642P-F085小信号MOSFET

安森美 (onsemi) FDC642P-F085小信号MOSFET采用高性能沟槽技术，具备极低R_DS(on)和快速开关速度。该MOSFET的典型栅极电荷低至6.9nC，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，功耗为1.2W。FDC642P-F085小信号MOSFET采用SUPERSOT™-6封装，占位面积比标准的SO-8小72%，且外形纤薄，厚度仅为1mm。这款小信号MOSFET不含铅，符合RoHS标准，通过AEC-Q101认证，且支持PPAP功能。典型应用包括负载开关、电池保护和电源管理。